Technische Details F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, Zweifach n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 8.1 mohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.1mohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 nach Preis ab 207.39 EUR bis 235.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET 2N-CH 1200V 85A AG-EASY2BPart Status: Active Supplier Device Package: AG-EASY2B Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 40mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297nC @ 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 100A, 18V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800pF @ 800V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tj) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Technology: Silicon Carbide (SiC) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, Zweifach n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 8.1 mohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 125°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.1mohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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| F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 85A AG-EASY2B
Part Status: Active
Supplier Device Package: AG-EASY2B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 40mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297nC @ 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 100A, 18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800pF @ 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 85A AG-EASY2B
Part Status: Active
Supplier Device Package: AG-EASY2B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 40mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297nC @ 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 100A, 18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800pF @ 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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| 1+ | 235.38 EUR |
| 18+ | 207.39 EUR |
| F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, Zweifach n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 8.1 mohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.1mohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, Zweifach n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 8.1 mohm
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Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
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Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.1mohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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