F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 85A AG-EASY2B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 100A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 40mA
Supplier Device Package: AG-EASY2B
Part Status: Active
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 235.38 EUR |
| 18+ | 207.39 EUR |
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Technische Details F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, Zweifach n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 8.1 mohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.1mohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 nach Preis ab 240.29 EUR bis 265.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules EASY STANDARD |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, Zweifach n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 8.1 mohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 125°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.1mohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 54 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |