F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies
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Technische Details F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, Zweifach n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 8.1 mohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter, Verlustleistung: 20mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.1mohm.
Weitere Produktangebote F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 nach Preis ab 223.49 EUR bis 336.91 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET 2N-CH 1200V 85A AG-EASY2BPackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 100A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 40mA Supplier Device Package: AG-EASY2B Part Status: Active |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, Zweifach n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 8.1 mohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter Verlustleistung: 20mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 125°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.1mohm |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 85A AG-EASY2B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 100A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 40mA
Supplier Device Package: AG-EASY2B
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 85A AG-EASY2B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 100A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 40mA
Supplier Device Package: AG-EASY2B
Part Status: Active
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 280.1 EUR |
| 18+ | 246.79 EUR |
| F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, Zweifach n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 8.1 mohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
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MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.1mohm
Description: INFINEON - F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, Zweifach n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 8.1 mohm
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euEccn: NLR
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Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.1mohm
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 336.91 EUR |
| 5+ | 263.36 EUR |
| 10+ | 223.49 EUR |