F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET Modules EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, 3-level module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor, pre-applied thermal interface material 2.0 and high current PressFIT contact technology
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Technische Details F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, 3-Level, Vierfach n-Kanal, 95 A, 1.2 kV, 8300 µohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 95A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: 3-Level, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 29Pin(s), Produktpalette: EasyPACK Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Vierfach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
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F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, 3-Level, Vierfach n-Kanal, 95 A, 1.2 kV, 8300 µohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: 3-Level euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 29Pin(s) Produktpalette: EasyPACK Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Vierfach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7210pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 237nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 33mA |
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