F410MR20W3M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesMOSFET Modules EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC
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Technische Details F410MR20W3M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - F410MR20W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 95 A, 2 kV, 0.0133 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 95A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 50Pin(s), Produktpalette: EasyPACK Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote F410MR20W3M1HB11BPSA1 nach Preis ab 459.43 EUR bis 459.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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F410MR20W3M1HB11BPSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - F410MR20W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 95 A, 2 kV, 0.0133 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 50Pin(s) Produktpalette: EasyPACK Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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| F410MR20W3M1HB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: EASY STANDARD PLUS Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 2000V (2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500pF @ 1200V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 120A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 470nC @ 3V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 68mA |
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