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F411MR12W2M1HPB76BPSA1

F411MR12W2M1HPB76BPSA1 INFINEON

4130647.pdf Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - F411MR12W2M1HPB76BPSA1 - MOSFET-Transistor, FourPack, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.0108 ohm, 18 V, 5.15 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
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Dauer-Drainstrom Id: 60A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Technische Details F411MR12W2M1HPB76BPSA1 INFINEON

Description: INFINEON - F411MR12W2M1HPB76BPSA1 - MOSFET-Transistor, FourPack, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.0108 ohm, 18 V, 5.15 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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F411MR12W2M1HPB76BPSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-F4-11MR12W2M1HP_B76-DataSheet-v00_10-EN.pdf Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET fourpack module 1200 V
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F411MR12W2M1HPB76BPSA1 F411MR12W2M1HPB76BPSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-F4-11MR12W2M1HP_B76-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018b727907127c02 Description: MOSFET
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 75A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 30mA
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