F46MR20W3M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesMOSFET Modules EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC
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Technische Details F46MR20W3M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - F46MR20W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 135 A, 2 kV, 0.0081 ohm, Modul, tariffCode: 85423990, Drain-Source-Spannung Vds: 2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 135A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 50Pin(s), Produktpalette: EasyPACK Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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F46MR20W3M1HB11BPSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - F46MR20W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 135 A, 2 kV, 0.0081 ohm, Modul tariffCode: 85423990 Drain-Source-Spannung Vds: 2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 135A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 50Pin(s) Produktpalette: EasyPACK Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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