F48MR12W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies
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Technische Details F48MR12W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - F48MR12W2M1HB70BPSA1 - MOSFET-Transistor, FourPack, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.0081 ohm, 18 V, 5.15 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote F48MR12W2M1HB70BPSA1 nach Preis ab 396.37 EUR bis 412.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||
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F48MR12W2M1HB70BPSA1 | Hersteller : INFINEON |
 Description: INFINEON - F48MR12W2M1HB70BPSA1 - MOSFET-Transistor, FourPack, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.0081 ohm, 18 V, 5.15 VtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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| F48MR12W2M1HB70BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET fourpack module 1200 V |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| F48MR12W2M1HB70BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
LOW POWER EASY |
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