Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > F48MR12W2M1HB70BPSA1
F48MR12W2M1HB70BPSA1

F48MR12W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies


Infineon-F4-8MR12W2M1H_B70-DataSheet-v00_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c57db7ce3042b Hersteller: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 20mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 100A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 40mA
auf Bestellung 11 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+246.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details F48MR12W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - F48MR12W2M1HB70BPSA1 - MOSFET-Transistor, FourPack, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.0081 ohm, 18 V, 5.15 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Weitere Produktangebote F48MR12W2M1HB70BPSA1 nach Preis ab 396.37 EUR bis 412.33 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
F48MR12W2M1HB70BPSA1 F48MR12W2M1HB70BPSA1 Hersteller : INFINEON 4130644.pdf Description: INFINEON - F48MR12W2M1HB70BPSA1 - MOSFET-Transistor, FourPack, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.0081 ohm, 18 V, 5.15 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F48MR12W2M1HB70BPSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-F4-8MR12W2M1H_B70-DataSheet-v00_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c57db7ce3042b Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET fourpack module 1200 V
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+412.33 EUR
10+411.75 EUR
60+396.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F48MR12W2M1HB70BPSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-F4-8MR12W2M1H_B70-DataSheet-v00_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c57db7ce3042b LOW POWER EASY
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH