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Technische Details FAM65HR51DS2 onsemi
Description: IGBT MODULE 650V 33A 135W, Packaging: Tube, Mounting Type: Through Hole, Input: Standard, Configuration: Half Bridge Inverter, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), NTC Thermistor: No, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 33 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 135 W, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.86 nF @ 400 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| FAM65HR51DS2 | Hersteller : ON Semiconductor |
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| FAM65HR51DS2 | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT MODULE 650V 33A 135W Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) NTC Thermistor: No Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 33 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 135 W Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.86 nF @ 400 V |
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