
FCA36N60NF ON Semiconductor
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
37+ | 4.09 EUR |
450+ | 3.72 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FCA36N60NF ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 34.9A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 312W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4245 pF @ 100 V.
Weitere Produktangebote FCA36N60NF nach Preis ab 4.81 EUR bis 7.64 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FCA36N60NF | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||
![]() |
FCA36N60NF | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||
![]() |
FCA36N60NF | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 801 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||
![]() |
FCA36N60NF | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 801 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||
![]() |
FCA36N60NF | Hersteller : onsemi / Fairchild |
![]() |
auf Bestellung 440 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||
![]() |
FCA36N60NF | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||
FCA36N60NF | Hersteller : ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||
![]() |
FCA36N60NF | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4245 pF @ 100 V |
Produkt ist nicht verfügbar |