FCB125N65S3 onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
auf Bestellung 568 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 3+ | 7.81 EUR |
| 10+ | 5.71 EUR |
| 100+ | 4.25 EUR |
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Technische Details FCB125N65S3 onsemi
Description: ONSEMI - FCB125N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 181W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 181W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FCB125N65S3 nach Preis ab 3.71 EUR bis 7.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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FCB125N65S3 | Hersteller : onsemi |
MOSFETs SF3 650V EASY 125MOHM D2PAK |
auf Bestellung 1143 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCB125N65S3 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCB125N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 181W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FCB125N65S3 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCB125N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 181W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 181W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCB125N65S3 | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 770 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FCB125N65S3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FCB125N65S3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FCB125N65S3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FCB125N65S3 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 181W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 181W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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FCB125N65S3 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 181W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V |
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| FCB125N65S3 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 181W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 181W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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