FCB36N60NTM ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCB36N60NTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.081 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 13.07 EUR |
| 500+ | 11.7 EUR |
| 800+ | 11.06 EUR |
| 1600+ | 10.76 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FCB36N60NTM ONSEMI
Description: ONSEMI - FCB36N60NTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.081 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote FCB36N60NTM nach Preis ab 6.76 EUR bis 17.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FCB36N60NTM | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCB36N60NTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.081 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 312W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm |
auf Bestellung 519 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
FCB36N60NTM | onsemi / Fairchild |
MOSFET 600V NChannel MOSFET SupreMOST |
auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FCB36N60NTM | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 646 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||
| FCB36N60NTM | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||
| FCB36N60NTM | ON Semiconductor |
|
auf Bestellung 7897 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FCB36N60NTM |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCB36N60NTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.081 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm
Description: ONSEMI - FCB36N60NTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.081 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm
auf Bestellung 519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15+ | 17.45 EUR |
| 16+ | 15.32 EUR |
| 18+ | 12 EUR |
| 50+ | 11.44 EUR |
| 100+ | 10.84 EUR |
| 250+ | 10.82 EUR |
| FCB36N60NTM |
|
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V NChannel MOSFET SupreMOST
MOSFET 600V NChannel MOSFET SupreMOST
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| FCB36N60NTM |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 9.62 EUR |
| 20+ | 8.48 EUR |
| 100+ | 6.76 EUR |
| FCB36N60NTM |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 13.59 EUR |
| 17+ | 9.98 EUR |
| FCB36N60NTM |
|
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 7897 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)