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FCD2250N80Z

FCD2250N80Z onsemi

fcd2250n80z-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 2.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 100 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
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5000+1.14 EUR
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Technische Details FCD2250N80Z onsemi

Description: MOSFET N-CH 800V 2.6A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25Ohm @ 1.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 100 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FCD2250N80Z FCD2250N80Z ON Semiconductor 3653704983221192fcd2250n80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2190 Stücke:
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97+1.8 EUR
106+1.58 EUR
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FCD2250N80Z FCD2250N80Z ON Semiconductor 3653704983221192fcd2250n80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FCD2250N80Z FCD2250N80Z onsemi fcd2250n80z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 2.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
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Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
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FCD2250N80Z FCD2250N80Z onsemi fcd2250n80z-d.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET 800 V, 2.6 A, 2.25 O
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