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FCD3400N80Z

FCD3400N80Z onsemi

fcu3400n80z-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Technische Details FCD3400N80Z onsemi

Description: ONSEMI - FCD3400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.75 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote FCD3400N80Z nach Preis ab 1.08 EUR bis 5.09 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FCD3400N80Z FCD3400N80Z ON Semiconductor 3648824885907187fcu3400n80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 683 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.01 EUR
95+1.77 EUR
96+1.69 EUR
109+1.43 EUR
250+1.37 EUR
500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
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FCD3400N80Z FCD3400N80Z ON Semiconductor 3648824885907187fcu3400n80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 683 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.01 EUR
95+1.81 EUR
96+1.75 EUR
109+1.51 EUR
250+1.48 EUR
500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD3400N80Z FCD3400N80Z ONSEMI FCU3400N80Z-D.pdf Description: ONSEMI - FCD3400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.75 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+2.7 EUR
114+2.05 EUR
139+1.55 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
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FCD3400N80Z FCD3400N80Z ONSEMI FCU3400N80Z-D.pdf Description: ONSEMI - FCD3400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.75 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
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Dauer-Drainstrom Id: 2A
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2060 Stücke:
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100+2.7 EUR
114+2.05 EUR
139+1.55 EUR
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1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FCD3400N80Z FCD3400N80Z onsemi fcu3400n80z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
auf Bestellung 2746 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.52 EUR
10+2.92 EUR
100+2 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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FCD3400N80Z FCD3400N80Z onsemi fcu3400n80z-d.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
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FCD3400N80Z
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Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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95+1.77 EUR
96+1.69 EUR
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Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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87+2.01 EUR
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FCD3400N80Z
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD3400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.75 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2060 Stücke:
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FCD3400N80Z
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Description: ONSEMI - FCD3400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.75 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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100+2.7 EUR
114+2.05 EUR
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FCD3400N80Z
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
auf Bestellung 2746 Stücke:
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5+4.52 EUR
10+2.92 EUR
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MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
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10+3.28 EUR
100+2.24 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.7 EUR
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FCD3400N80Z fcu3400n80z-d.pdf
Hersteller: ONN
auf Bestellung 1579 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH