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Technische Details FCH040N65S3-F155 onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FCH040N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.0354 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 417W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0354ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FCH040N65S3-F155 nach Preis ab 11.78 EUR bis 19.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FCH040N65S3-F155 | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 6.5mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4740 pF @ 400 V |
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FCH040N65S3-F155 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCH040N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.0354 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 417W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0354ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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| FCH040N65S3-F155 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FCH040N65S3-F155 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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FCH040N65S3-F155 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 162.5A; 417W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 417W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 136nC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain current: 41A Drain-source voltage: 650V Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 40mΩ Pulsed drain current: 162.5A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FCH040N65S3-F155 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 162.5A; 417W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 417W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 136nC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain current: 41A Drain-source voltage: 650V Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 40mΩ Pulsed drain current: 162.5A |
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