Weitere Produktangebote FCH041N60F nach Preis ab 8.11 EUR bis 17.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FCH041N60F | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 600V 76A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 595W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14365 pF @ 100 V |
auf Bestellung 2981 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCH041N60F | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 600V N-Channel MOSFET, FRFET |
auf Bestellung 672 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCH041N60F | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCH041N60F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 595W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET II FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1502 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCH041N60F | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FCH041N60F | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FCH041N60F | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 76A Power dissipation: 595W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 228A Gate charge: 277nC |
Produkt ist nicht verfügbar |