FCH041N60F ONSEMI
Hersteller: ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH041N60F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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Technische Details FCH041N60F ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH041N60F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 595W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET II FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FCH041N60F
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| FCH041N60F | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FCH041N60F Produktcode: 194305 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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FCH041N60F | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| FCH041N60F | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 76A Pulsed drain current: 228A Power dissipation: 595W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 277nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FCH041N60F | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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FCH041N60F | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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FCH041N60F | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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FCH041N60F | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 76A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 595W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14365 pF @ 100 V |
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FCH041N60F | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 600V N-Channel MOSFET, FRFET |
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| FCH041N60F | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 76A Pulsed drain current: 228A Power dissipation: 595W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 277nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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