FCH041N65EF-F155 onsemi / Fairchild
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 21.98 EUR |
| 10+ | 16.05 EUR |
| 30+ | 14.71 EUR |
| 60+ | 14.7 EUR |
| 120+ | 14.68 EUR |
| 270+ | 14.1 EUR |
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Technische Details FCH041N65EF-F155 onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FCH041N65EF-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 76 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 595W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET II FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FCH041N65EF-F155 nach Preis ab 15.73 EUR bis 24.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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FCH041N65EF-F155 | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 595W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 298 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12560 pF @ 100 V |
auf Bestellung 358 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCH041N65EF-F155 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 595W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 298 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12560 pF @ 100 V |
auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCH041N65EF-F155 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCH041N65EF-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 76 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 595W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET II FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FCH041N65EF-F155 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FCH041N65EF-F155 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FCH041N65EF-F155 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FCH041N65EF-F155 | Hersteller : ONSEMI |
FCH041N65EF-F155 THT N channel transistors |
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