Weitere Produktangebote FCH190N65F-F155 nach Preis ab 4.93 EUR bis 11.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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FCH190N65F-F155 | Hersteller : onsemi |
 MOSFETs SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlea |
auf Bestellung 6020 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCH190N65F-F155 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3225 pF @ 100 V |
auf Bestellung 381 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH190N65F-F155 | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 8100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FCH190N65F-F155 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FCH190N65F-F155 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.6A; Idm: 61.8A; 208W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20.6A Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 0.19Ω Gate charge: 60nC Power dissipation: 208W Pulsed drain current: 61.8A |
Produkt ist nicht verfügbar |