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FCI7N60

FCI7N60 onsemi / Fairchild

FCI7N60-D.pdf
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs HIGH POWER
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Technische Details FCI7N60 onsemi / Fairchild

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 83W; I2PAK, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 7A, Power dissipation: 83W, Case: I2PAK, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.6Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 21A, Gate charge: 23nC.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FCI7N60 FCI7N60 onsemi FCI7N60-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK
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