FCMT250N65S3 onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 12A POWER88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: Power88
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 2.96 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FCMT250N65S3 onsemi
Description: ONSEMI - FCMT250N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.21 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 90W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.21ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FCMT250N65S3 nach Preis ab 3.33 EUR bis 4.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FCMT250N65S3 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 12A POWER88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: Power88 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V |
auf Bestellung 95990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
FCMT250N65S3 | Hersteller : onsemi |
MOSFETs SUPERFET3 650V 12A 250 mOhm |
auf Bestellung 1671 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
FCMT250N65S3 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCMT250N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.21 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 90W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.21ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
| FCMT250N65S3 | Hersteller : ON Semiconductor |
|
auf Bestellung 2590 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||
 |
FCMT250N65S3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 4-Pin PQFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
| FCMT250N65S3 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; PQFN4 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 90W Case: PQFN4 Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 30A Drain-source voltage: 650V Drain current: 12A On-state resistance: 0.25Ω Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||
| FCMT250N65S3 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; PQFN4 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 90W Case: PQFN4 Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 30A Drain-source voltage: 650V Drain current: 12A On-state resistance: 0.25Ω Polarisation: unipolar |
Produkt ist nicht verfügbar |