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FCMT250N65S3

FCMT250N65S3 onsemi


fcmt250n65s3-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 12A POWER88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: Power88
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
auf Bestellung 93000 Stücke:

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Technische Details FCMT250N65S3 onsemi

Description: ONSEMI - FCMT250N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.21 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 90W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.21ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FCMT250N65S3 FCMT250N65S3 Hersteller : onsemi fcmt250n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A POWER88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: Power88
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
auf Bestellung 95990 Stücke:
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10+3.62 EUR
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FCMT250N65S3 FCMT250N65S3 Hersteller : onsemi fcmt250n65s3-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V 12A 250 mOhm
auf Bestellung 1671 Stücke:
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Anzahl Preis
1+4.22 EUR
10+3.66 EUR
100+3.41 EUR
1000+3.40 EUR
3000+3.33 EUR
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FCMT250N65S3 FCMT250N65S3 Hersteller : ONSEMI fcmt250n65s3-d.pdf Description: ONSEMI - FCMT250N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.21 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 90W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
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Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.21ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2 Stücke:
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FCMT250N65S3 Hersteller : ON Semiconductor fcmt250n65s3-d.pdf
auf Bestellung 2590 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FCMT250N65S3 FCMT250N65S3 Hersteller : ON Semiconductor fcmt250n65s3-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 12A 4-Pin PQFN EP T/R
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FCMT250N65S3 Hersteller : ONSEMI fcmt250n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; PQFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 90W
Case: PQFN4
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 30A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.25Ω
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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FCMT250N65S3 Hersteller : ONSEMI fcmt250n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; PQFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 90W
Case: PQFN4
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 30A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.25Ω
Polarisation: unipolar
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