FCP067N65S3 ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details FCP067N65S3 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FCP067N65S3 - Leistungs-MOSFET, SuperFET III, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.059 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FCP067N65S3 nach Preis ab 4.22 EUR bis 8.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FCP067N65S3 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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FCP067N65S3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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FCP067N65S3 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 44A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V |
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FCP067N65S3 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 650V 44A N-Channel SuperFET MOSFET |
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FCP067N65S3 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCP067N65S3 - Leistungs-MOSFET, SuperFET III, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.059 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 312W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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FCP067N65S3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FCP067N65S3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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FCP067N65S3 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; Idm: 110A; 312W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 28A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 312W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 67mΩ Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FCP067N65S3 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; Idm: 110A; 312W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 28A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 312W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 67mΩ Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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