Technische Details FCP099N60E ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FCP099N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.087 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, Dauer-Drainstrom Id: 37, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 357, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5, Verlustleistung: 357, Bauform - Transistor: TO-220, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: SuperFET II, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.087, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote FCP099N60E nach Preis ab 4.58 EUR bis 12.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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FCP099N60E | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FCP099N60E | onsemi |
MOSFETs SuperFET2 600V Slow version |
auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCP099N60E | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.5A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3465 pF @ 380 V |
auf Bestellung 243 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCP099N60E | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 770 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FCP099N60E |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 31+ | 5.78 EUR |
| 37+ | 4.58 EUR |
| FCP099N60E |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs SuperFET2 600V Slow version
MOSFETs SuperFET2 600V Slow version
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 11.96 EUR |
| 10+ | 6.41 EUR |
| 100+ | 5.87 EUR |
| FCP099N60E |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3465 pF @ 380 V
Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3465 pF @ 380 V
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 12.19 EUR |
| 50+ | 6.52 EUR |
| 100+ | 5.97 EUR |
| FCP099N60E |
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Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)