FCP104N60F ON Semiconductor
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Technische Details FCP104N60F ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FCP104N60F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.091 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, Dauer-Drainstrom Id: 37, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 357, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, Verlustleistung: 357, Bauform - Transistor: TO-220, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: SuperFET II FRFET, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.091, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote FCP104N60F nach Preis ab 4.46 EUR bis 14.46 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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FCP104N60F | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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FCP104N60F | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO |
auf Bestellung 998 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FCP104N60F | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6130 pF @ 25 V |
auf Bestellung 794 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FCP104N60F | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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FCP104N60F | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCP104N60F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.091 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 37 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 357 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 357 Bauform - Transistor: TO-220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: SuperFET II FRFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.091 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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FCP104N60F | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: TO220-3 Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A On-state resistance: 0.104Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 357W Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FCP104N60F | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: TO220-3 Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A On-state resistance: 0.104Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 357W Polarisation: unipolar |
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