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FCP110N65F

FCP110N65F ON Semiconductor

fcp110n65f-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details FCP110N65F ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 357W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V.

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FCP110N65F FCP110N65F Hersteller : onsemi fcp110n65f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V
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FCP110N65F FCP110N65F Hersteller : onsemi / Fairchild FCP110N65F-D.pdf MOSFETs SuperFET2 650V, 110mohm
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FCP110N65F FCP110N65F Hersteller : ON Semiconductor fcp110n65f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FCP110N65F FCP110N65F Hersteller : ON Semiconductor 3677556322167992fcp110n65f.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FCP110N65F FCP110N65F Hersteller : ON Semiconductor fcp110n65f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FCP110N65F Hersteller : ONSEMI fcp110n65f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 35A; Idm: 105A; 357W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 35A
Power dissipation: 357W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 105A
Gate charge: 98nC
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