FCP125N65S3R0 onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
auf Bestellung 1570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 7.34 EUR |
| 50+ | 4.27 EUR |
| 100+ | 3.9 EUR |
| 500+ | 3.28 EUR |
| 1000+ | 3.12 EUR |
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Technische Details FCP125N65S3R0 onsemi
Description: ONSEMI - FCP125N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 181W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FCP125N65S3R0 nach Preis ab 3.41 EUR bis 7.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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FCP125N65S3R0 | Hersteller : onsemi |
MOSFETs SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCP125N65S3R0 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCP125N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 181W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 736 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCP125N65S3R0 | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 739 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FCP125N65S3R0 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FCP125N65S3R0 | Hersteller : ONSEMI |
FCP125N65S3R0 THT N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |