FCP150N65F onsemi / Fairchild

Description: ONSEMI - FCP150N65F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.133 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650, Dauer-Drainstrom Id: 24, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 298, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, Verlustleistung: 298, Bauform - Transistor: TO-220, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: SuperFET II FRFET, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.133, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.133, SVHC: Lead (10-Jun-2022).