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FCP190N60E

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Produktcode: 152423
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Transistoren > MOSFET N-CH

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FCP190N60E FCP190N60E Hersteller : onsemi fcpf190n60e-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 25 V
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FCP190N60E FCP190N60E Hersteller : onsemi fcpf190n60e-d.pdf MOSFETs 600V N-CHAN MOSFET
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FCP190N60E Hersteller : On Semiconductor fcpf190n60e-d.pdf MOSFET N-CH 600V TO220-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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FCP190N60E FCP190N60E Hersteller : ON Semiconductor fcpf190n60e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FCP190N60E FCP190N60E Hersteller : ON Semiconductor fcpf190n60e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FCP190N60E Hersteller : ONSEMI fcpf190n60e-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.6A; Idm: 61.8A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.6A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 63nC
Power dissipation: 208W
Pulsed drain current: 61.8A
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