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FCP190N60E

FCP190N60E onsemi / Fairchild

FCPF190N60E_D-2312211.pdf Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-CHAN MOSFET
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Technische Details FCP190N60E onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 25 V.

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FCP190N60E FCP190N60E Hersteller : onsemi fcpf190n60e-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 25 V
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