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Technische Details FCPF067N65S3 onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FCPF067N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.059 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 46W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FCPF067N65S3 nach Preis ab 5.19 EUR bis 10.89 EUR
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FCPF067N65S3 | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 650V 44A TO220FPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V |
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FCPF067N65S3 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCPF067N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.059 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 46W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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FCPF067N65S3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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FCPF067N65S3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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FCPF067N65S3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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| FCPF067N65S3 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; Idm: 110A; 46W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 44A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 46W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 67mΩ Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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