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FCPF20N60

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Transistoren > MOSFET N-CH

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FCPF20N60 FCPF20N60 ON Semiconductor fcp20n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 9000 Stücke:
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FCPF20N60 FCPF20N60 ON Semiconductor fcp20n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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FCPF20N60 FCPF20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+6.09 EUR
13+5.68 EUR
16+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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FCPF20N60 FCPF20N60 onsemi FCP20N60-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.66 EUR
50+5.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FCPF20N60 FCPF20N60 onsemi FCP20N60-D.pdf MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
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1+9.79 EUR
10+5.21 EUR
100+4.75 EUR
500+4.49 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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FCPF20N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
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FCPF20N60
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
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Hersteller: onsemi
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
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