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Technische Details FCPF380N60E onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FCPF380N60E nach Preis ab 2.05 EUR bis 4.91 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FCPF380N60E | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V |
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FCPF380N60E | Hersteller : ON Semiconductor |
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FCPF380N60E | Hersteller : ON Semiconductor |
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FCPF380N60E | Hersteller : ON Semiconductor |
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FCPF380N60E | Hersteller : ON Semiconductor |
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FCPF380N60E | Hersteller : ON Semiconductor |
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FCPF380N60E | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.2A; Idm: 30.6A; 31W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10.2A Pulsed drain current: 30.6A Power dissipation: 31W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FCPF380N60E | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.2A; Idm: 30.6A; 31W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10.2A Pulsed drain current: 30.6A Power dissipation: 31W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FCPF380N60E | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.2A; Idm: 30.6A; 31W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10.2A Pulsed drain current: 30.6A Power dissipation: 31W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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