FCPF400N80ZL1 onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 11A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 216+ | 2.26 EUR |
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Technische Details FCPF400N80ZL1 onsemi
Description: ONSEMI - FCPF400N80ZL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35.7W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FCPF400N80ZL1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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FCPF400N80ZL1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FCPF400N80ZL1 | Hersteller : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET SF2 800V 400MOHM E TO220F |
auf Bestellung 2793 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FCPF400N80ZL1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCPF400N80ZL1 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCPF400N80ZL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 35.7W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 655 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FCPF400N80ZL1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube |
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FCPF400N80ZL1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube |
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FCPF400N80ZL1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube |
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FCPF400N80ZL1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube |
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FCPF400N80ZL1 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 35.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V |
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