FCU600N65S3R0 onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 400 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 7+ | 2.85 EUR |
| 100+ | 2.35 EUR |
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Technische Details FCU600N65S3R0 onsemi
Description: ONSEMI - FCU600N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.493 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 54W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.493ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.493ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FCU600N65S3R0 nach Preis ab 1.89 EUR bis 4.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FCU600N65S3R0 | Hersteller : onsemi |
MOSFET SUPERFET3 650V 6A 600 mOhm |
auf Bestellung 1570 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FCU600N65S3R0 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCU600N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.493 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 54W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.493ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.493ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1775 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FCU600N65S3R0 | Hersteller : ON Semiconductor |
MOSFET SUPERFET3 650V 6A 600 mOhm |
auf Bestellung 1615 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |