Technische Details FD200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FD200R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Trench/Fieldstop, Einfach, Chopper, 295 A, 1.7 V, 1.05 kW, 125 °C, Module, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125, IGBT-Anschluss: Lötfahne, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7, Verlustleistung Pd: 1.05, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2, Produktpalette: 62mm C, IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 295, Betriebstemperatur, max.: 125, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote FD200R12KE3HOSA1 nach Preis ab 187.96 EUR bis 192.68 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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FD200R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 5-Pin 62MM-1 Tray |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FD200R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 1200V 1050W MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Chopper Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1050 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FD200R12KE3HOSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 5-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 5-Pin 62MM-1 Tray
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 187.96 EUR |
| FD200R12KE3HOSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 1050W MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1050 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
Description: IGBT MODULE 1200V 1050W MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1050 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 192.68 EUR |