FD200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details FD200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 1050W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single Chopper, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 1050 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FD200R12KE3HOSA1 nach Preis ab 165.39 EUR bis 165.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FD200R12KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: IGBT MODULE 1200V 1050WPackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Chopper Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1050 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V |
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FD200R12KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 5-Pin 62MM-1 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FD200R12KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 5-Pin 62MM-1 Tray |
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