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FD200R12KE3HOSA1

FD200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies

infineonfd200r12ke3dsv0303enjp.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 5-Pin 62MM-1 Tray
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Technische Details FD200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE 1200V 1050W MODULE, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single Chopper, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 1050 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
FD200R12KE3HOSA1 FD200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies Infineon-FD200R12KE3-DS-v03_03-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431aac45508 Description: IGBT MODULE 1200V 1050W MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1050 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
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FD200R12KE3HOSA1 Infineon-FD200R12KE3-DS-v03_03-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431aac45508
FD200R12KE3HOSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 1050W MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1050 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
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