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FDA24N40F

FDA24N40F

FDA24N40F-108416.pdf
Produktcode: 117173
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Hersteller:
Gehäuse: TO-3PN
Uds,V: 400 V
Idd,A: 23 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2280/46
JHGF: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDA24N40F FDA24N40F ONSEMI FDA24N40F-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 13.8A; Idm: 92A; 235W; TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 235W
Drain-source voltage: 400V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO3PN
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 0.19Ω
Drain current: 13.8A
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.18 EUR
20+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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FDA24N40F FDA24N40F onsemi FDA24N40F-D.PDF Description: MOSFET N-CH 400V 23A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 25 V
auf Bestellung 2064 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.99 EUR
30+4.49 EUR
120+3.72 EUR
510+3.15 EUR
1020+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDA24N40F FDA24N40F onsemi FDA24N40F-D.PDF MOSFETs 400V N-Channel
auf Bestellung 3927 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.03 EUR
10+4.51 EUR
120+3.61 EUR
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FDA24N40F FDA24N40F-D.PDF
FDA24N40F
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 13.8A; Idm: 92A; 235W; TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 235W
Drain-source voltage: 400V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO3PN
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 0.19Ω
Drain current: 13.8A
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Anzahl Preis
18+4.18 EUR
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FDA24N40F
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 400V 23A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 25 V
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FDA24N40F
Hersteller: onsemi
MOSFETs 400V N-Channel
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Предохранитель micro radial 5A, быстрый (KLS5-102-5EF-050H)
Produktcode: 127694
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kls5-102-5et-datasheet.pdf
Предохранитель micro radial 5A, быстрый (KLS5-102-5EF-050H)
Hersteller: KLS
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Funktionsbeschreibung: Запобіжник швидкий, квадратний 5A 250V, 8,5х7,2х4мм;
Nennstrom, А: 5 А
Größe: 8,5x7,2x4 mm; dвив. = 0,6 mm
Bemerkung: З виводами
Матеріал корпуса: Пластик
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Швидкий
auf Bestellung 531 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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