Weitere Produktangebote FDA28N50 nach Preis ab 4.03 EUR bis 9.03 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FDA28N50 | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 500V 28A TO3PNPackaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5140 pF @ 25 V |
auf Bestellung 253 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDA28N50 | Hersteller : onsemi |
MOSFETs UniFET 500V |
auf Bestellung 1707 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDA28N50 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDA28N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 28 A, 0.155 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 310W Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 693 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDA28N50 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDA28N50 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; Idm: 112A; 310W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 17A Pulsed drain current: 112A Power dissipation: 310W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 155mΩ Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |