
FDA28N50 onsemi

Description: MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5140 pF @ 25 V
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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3+ | 7.53 EUR |
30+ | 3.84 EUR |
120+ | 3.75 EUR |
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Technische Details FDA28N50 onsemi
Description: ONSEMI - FDA28N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 28 A, 0.122 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310W, Bauform - Transistor: TO-3PN, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: UniFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote FDA28N50 nach Preis ab 3.64 EUR bis 11.91 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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FDA28N50 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 3211 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDA28N50 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; Idm: 112A; 310W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 17A Pulsed drain current: 112A Power dissipation: 310W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 155mΩ Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDA28N50 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; Idm: 112A; 310W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 17A Pulsed drain current: 112A Power dissipation: 310W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 155mΩ Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDA28N50 | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 310W Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 618 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDA28N50 Produktcode: 85154
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FDA28N50 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDA28N50 | Hersteller : ON Semiconductor |
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