FDA38N30 ON Semiconductor
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Technische Details FDA38N30 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDA38N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.07 ohm, TO-204AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 312W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-204AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm.
Weitere Produktangebote FDA38N30 nach Preis ab 3.76 EUR bis 11.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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FDA38N30 | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDA38N30 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDA38N30 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDA38N30 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDA38N30 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 300V 38A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1866 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDA38N30 | onsemi |
MOSFETs UniFET1 300V N-chan MOSFET |
auf Bestellung 2255 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDA38N30 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDA38N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.07 ohm, TO-204AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 312W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-204AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
auf Bestellung 910 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDA38N30 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 37+ | 4.84 EUR |
| 120+ | 4.46 EUR |
| FDA38N30 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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| 37+ | 4.86 EUR |
| 120+ | 4.38 EUR |
| FDA38N30 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 27+ | 6.82 EUR |
| 43+ | 4.12 EUR |
| FDA38N30 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 27+ | 6.82 EUR |
| 43+ | 4.02 EUR |
| FDA38N30 |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 300V 38A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 300V 38A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
auf Bestellung 1866 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 9.53 EUR |
| 30+ | 5.36 EUR |
| 60+ | 4.86 EUR |
| 120+ | 4.44 EUR |
| 510+ | 3.76 EUR |
| FDA38N30 |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs UniFET1 300V N-chan MOSFET
MOSFETs UniFET1 300V N-chan MOSFET
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 10.86 EUR |
| 10+ | 7.14 EUR |
| 120+ | 5.21 EUR |
| FDA38N30 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDA38N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.07 ohm, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 312W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
Description: ONSEMI - FDA38N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.07 ohm, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 312W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 22+ | 11.38 EUR |
| 39+ | 6.01 EUR |
| 100+ | 5.49 EUR |
| 500+ | 4.5 EUR |