FDA38N30 ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 164+ | 3.28 EUR |
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Technische Details FDA38N30 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDA38N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.07 ohm, TO-204AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312W, Bauform - Transistor: TO-204AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FDA38N30 nach Preis ab 3.05 EUR bis 8.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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FDA38N30 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDA38N30 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDA38N30 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDA38N30 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDA38N30 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs UniFET1 300V N-chan MOSFET |
auf Bestellung 385 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDA38N30 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 300V 38A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V |
auf Bestellung 9864 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDA38N30 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDA38N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.07 ohm, TO-204AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 312W Bauform - Transistor: TO-204AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1064 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDA38N30 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
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FDA38N30 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDA38N30 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
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| FDA38N30 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 22A; Idm: 150A; 312W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 22A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 312W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 85mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| FDA38N30 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 22A; Idm: 150A; 312W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 22A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 312W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 85mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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