FDA59N25 ON Semiconductor
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| 28+ | 5.33 EUR |
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Technische Details FDA59N25 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDA59N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 59 A, 0.049 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 59A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 392W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FDA59N25 nach Preis ab 2.69 EUR bis 6.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FDA59N25 | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 250V 59A TO3PNPackaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 29.5A, 10V Power Dissipation (Max): 392W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020 pF @ 25 V |
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FDA59N25 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 250V N-Ch MOSFET |
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FDA59N25 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDA59N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 59 A, 0.049 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 392W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 5735 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDA59N25 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDA59N25 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDA59N25 Produktcode: 133470
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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FDA59N25 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
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FDA59N25 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 35A; Idm: 236A; 392W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 35A Pulsed drain current: 236A Power dissipation: 392W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 49mΩ Mounting: THT Gate charge: 82nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDA59N25 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 35A; Idm: 236A; 392W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 35A Pulsed drain current: 236A Power dissipation: 392W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 49mΩ Mounting: THT Gate charge: 82nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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