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FDA59N25

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Produktcode: 133470
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDA59N25 FDA59N25 onsemi fda59n25-d.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 59A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 392W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020 pF @ 25 V
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.21 EUR
30+4.56 EUR
120+3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDA59N25 FDA59N25 onsemi fda59n25-d.pdf MOSFETs 250V N-Ch MOSFET
auf Bestellung 14550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.68 EUR
10+4.84 EUR
120+3.97 EUR
1020+3.75 EUR
2520+3.58 EUR
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FDA59N25 FDA59N25 ONSEMI fda59n25-d.pdf Description: ONSEMI - FDA59N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 59 A, 0.049 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 392W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
auf Bestellung 521 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.59 EUR
44+5.33 EUR
100+4.55 EUR
500+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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FDA59N25 FDA59N25 ON Semiconductor fda59n25-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDA59N25 FDA59N25 ON Semiconductor fda59n25-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 10 Stücke:
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FDA59N25 FDA59N25 ON Semiconductor fda59n25-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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FDA59N25
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 59A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 392W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020 pF @ 25 V
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Hersteller: onsemi
MOSFETs 250V N-Ch MOSFET
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FDA59N25
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDA59N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 59 A, 0.049 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 392W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
auf Bestellung 521 Stücke:
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FDA59N25
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 250V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 250V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 250V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 10 Stücke:
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