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FDA59N25

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Produktcode: 133470
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Transistoren > MOSFET N-CH

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FDA59N25 FDA59N25 Hersteller : ON Semiconductor fda59n25-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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FDA59N25 FDA59N25 Hersteller : onsemi / Fairchild FDA59N25-D.PDF MOSFETs 250V N-Ch MOSFET
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FDA59N25 FDA59N25 Hersteller : onsemi fda59n25-d.pdf MOSFETs 250V N-Ch MOSFET
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FDA59N25 FDA59N25 Hersteller : onsemi fda59n25-d.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 59A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 392W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020 pF @ 25 V
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FDA59N25 FDA59N25 Hersteller : ONSEMI fda59n25-d.pdf Description: ONSEMI - FDA59N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 59 A, 0.049 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 392W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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FDA59N25 FDA59N25 Hersteller : ON Semiconductor fda59n25-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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