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FDA59N30

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Produktcode: 99422
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDA59N30 FDA59N30 ON Semiconductor fda59n30d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
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FDA59N30 FDA59N30 ON Semiconductor fda59n30d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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FDA59N30 FDA59N30 ON Semiconductor fda59n30d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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FDA59N30 FDA59N30 ON Semiconductor fda59n30d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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30+6.22 EUR
120+5 EUR
270+4.86 EUR
510+4.44 EUR
1020+4.36 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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FDA59N30 FDA59N30 ONSEMI FDA59N30-D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 236A
Power dissipation: 500W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 151 Stücke:
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14+6.32 EUR
17+5.14 EUR
20+4.47 EUR
30+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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FDA59N30 FDA59N30 onsemi FDA59N30-D.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 59A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 25 V
auf Bestellung 1870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.64 EUR
30+5.41 EUR
60+4.91 EUR
120+4.49 EUR
510+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDA59N30 FDA59N30 onsemi FDA59N30-D.pdf MOSFETs 300V NCH MOSFET
auf Bestellung 15871 Stücke:
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1+9.76 EUR
10+5.49 EUR
120+4.55 EUR
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FDA59N30 FDA59N30 ONSEMI 2304266.pdf Description: ONSEMI - FDA59N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 59 A, 0.056 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.74 EUR
28+8.38 EUR
100+6.7 EUR
500+5.68 EUR
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FDA59N30
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 300V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
48+3.68 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 300V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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AnzahlPrivatkunde
450+3.68 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 300V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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AnzahlPrivatkunde
450+3.68 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 300V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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AnzahlPrivatkunde
30+6.22 EUR
120+5 EUR
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510+4.44 EUR
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Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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FDA59N30
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 236A
Power dissipation: 500W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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14+6.32 EUR
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Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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FDA59N30
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 300V 59A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 25 V
auf Bestellung 1870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.64 EUR
30+5.41 EUR
60+4.91 EUR
120+4.49 EUR
510+3.81 EUR
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Hersteller: onsemi
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auf Bestellung 15871 Stücke:
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FDA59N30
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDA59N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 59 A, 0.056 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+13.74 EUR
28+8.38 EUR
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