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FDA59N30

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Produktcode: 99422
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Transistoren > MOSFET N-CH

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FDA59N30 FDA59N30 ON Semiconductor fda59n30-d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 1860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+4.96 EUR
120+3.99 EUR
270+3.87 EUR
510+3.22 EUR
1020+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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FDA59N30 FDA59N30 ONSEMI FDA59N30-D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 236A
Power dissipation: 500W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+5.29 EUR
17+4.32 EUR
20+3.73 EUR
30+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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FDA59N30 FDA59N30 onsemi FDA59N30-D.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 59A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 25 V
auf Bestellung 1328 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.88 EUR
30+4.42 EUR
120+3.66 EUR
510+3.1 EUR
1020+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDA59N30 FDA59N30 onsemi FDA59N30-D.pdf MOSFETs 300V NCH MOSFET
auf Bestellung 5546 Stücke:
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10+4.45 EUR
120+3.66 EUR
510+3.36 EUR
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FDA59N30 FDA59N30 ONSEMI FDA59N30-D.pdf Description: ONSEMI - FDA59N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 59 A, 0.056 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
auf Bestellung 538 Stücke:
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 300V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 1860 Stücke:
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AnzahlPreis
30+4.96 EUR
120+3.99 EUR
270+3.87 EUR
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FDA59N30
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 236A
Power dissipation: 500W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 38 Stücke:
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17+4.32 EUR
20+3.73 EUR
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Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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FDA59N30
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 300V 59A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 25 V
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30+4.42 EUR
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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Hersteller: onsemi
MOSFETs 300V NCH MOSFET
auf Bestellung 5546 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+7.92 EUR
10+4.45 EUR
120+3.66 EUR
510+3.36 EUR
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FDA59N30
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDA59N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 59 A, 0.056 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
auf Bestellung 538 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH