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FDA59N30

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Produktcode: 99422
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Transistoren > MOSFET N-CH

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FDA59N30 FDA59N30 Hersteller : ON Semiconductor fda59n30-d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
100+4.96 EUR
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FDA59N30 FDA59N30 Hersteller : ONSEMI FDA59N30-D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 35A
Power dissipation: 500W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.1µC
Pulsed drain current: 236A
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.29 EUR
17+4.32 EUR
20+3.73 EUR
30+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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FDA59N30 FDA59N30 Hersteller : onsemi FDA59N30-D.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 59A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 25 V
auf Bestellung 1328 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+7.88 EUR
30+4.42 EUR
120+3.66 EUR
510+3.1 EUR
1020+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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FDA59N30 FDA59N30 Hersteller : onsemi FDA59N30-D.pdf MOSFETs 300V NCH MOSFET
auf Bestellung 14459 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.92 EUR
10+4.45 EUR
100+3.64 EUR
450+3.36 EUR
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FDA59N30 Hersteller : ONSEMI 2304266.pdf Description: ONSEMI - FDA59N30 - MOSFET, N-KANAL, TO-3P
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 557 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDA59N30 FDA59N30 Hersteller : ON Semiconductor fda59n30-d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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FDA59N30 Hersteller : ONS/FAI FDA59N30.pdf Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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