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FDA69N25

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Transistoren > MOSFET N-CH

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FDA69N25 FDA69N25 onsemi FDA69N25-D.PDF MOSFETs 250V N-Channel MOSFET
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FDA69N25 FDA69N25 ONSEMI FDA69N25-D.PDF Description: ONSEMI - FDA69N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 69 A, 0.041 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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FDA69N25 FDA69N25 onsemi FDA69N25-D.PDF Description: MOSFET N-CH 250V 69A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 34.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
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Hersteller: ON Semiconductor
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MOSFETs 250V N-Channel MOSFET
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FDA69N25
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDA69N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 69 A, 0.041 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
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Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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FDA69N25
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 69A TO3PN
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Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
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Supplier Device Package: TO-3PN
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
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Entlötlitze zur Lotentfernung 3,5 м VVS3515
Produktcode: 204744
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Entlötlitze zur Lotentfernung 3,5 м VVS3515
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Lötgeräte, Lötmaterial > Löttechnik. Verschiedenes
Kategorie: Entlötlitze
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1,6 Ohm 5% 3W bedrahtet (MFR300SSJTB-1R6-Hitano)
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Widerstande THT > Widerstande THT - 3W 4W
Nennwert: 1,6 Ohm
Toleranz und TKW: ±5%, ±250ppm
P Nenn., W: 3 W
U Betriebs., V: 500 V
Abmessungen: 11x4 mm; D Anschluss = 0.8 mm
Typ: Metallschicht, Miniatur
-55...+155°C
verfügbar: 110 St.
  • 110 St. - stock Köln
auf Bestellung: 758 St.
  • 758 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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100+0.1 EUR
1000+0.086 EUR
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KA3525A (SG3525)
Produktcode: 29981
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KA3525A-87714.pdf
KA3525A (SG3525)
Hersteller: Fairchild
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-16
Funktion und Eigenschaften: DC/DC-Schaltbetrieb, 2 Ausgänge
Eingangsspannung, V: 40 V
Ausgangsstrom Iout, A: 500 mA
Frequenz Fosc, kHz: 430 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C
auf Bestellung: 45 St.
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AnzahlPrivatkunde
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10+0.93 EUR
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