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FDB0190N807L

FDB0190N807L onsemi

FDB0190N807L-D.PDF
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19110 pF @ 40 V
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Technische Details FDB0190N807L onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 34A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19110 pF @ 40 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDB0190N807L FDB0190N807L onsemi / Fairchild FDB0190N807L-D.PDF MOSFETs 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
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FDB0190N807L FDB0190N807L ONSEMI FDB0190N807L-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 190A; Idm: 1440A; 250W; D2PAK-6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK-6
On-state resistance: 4.3mΩ
Pulsed drain current: 1.44kA
Power dissipation: 250W
Gate charge: 249nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 190A
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 778 Stücke:
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13+6.82 EUR
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FDB0190N807L FDB0190N807L onsemi FDB0190N807L-D.PDF MOSFETs 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
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FDB0190N807L FDB0190N807L onsemi FDB0190N807L-D.PDF Description: MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19110 pF @ 40 V
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FDB0190N807L ON Semiconductor FDB0190N807L-D.PDF Trans MOSFET N-CH 80V 270A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK-6
On-state resistance: 4.3mΩ
Pulsed drain current: 1.44kA
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Polarisation: unipolar
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 10 V
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