FDB0260N1007L ON Semiconductor
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Technische Details FDB0260N1007L ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDB0260N1007L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FDB0260N1007L nach Preis ab 6.56 EUR bis 16.60 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FDB0260N1007L | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
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FDB0260N1007L | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8545 pF @ 50 V |
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FDB0260N1007L | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8545 pF @ 50 V |
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FDB0260N1007L | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB0260N1007L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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FDB0260N1007L | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB0260N1007L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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FDB0260N1007L | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
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FDB0260N1007L | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
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| FDB0260N1007L | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1100A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A Pulsed drain current: 1100A Power dissipation: 250W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 84nC Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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FDB0260N1007L | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V TO263 7L JEDEC GREEN EMC |
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| FDB0260N1007L | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1100A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A Pulsed drain current: 1100A Power dissipation: 250W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 84nC Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape |
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