FDB050AN06A0 onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 4.65 EUR |
| 10+ | 4.18 EUR |
| 100+ | 3.36 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FDB050AN06A0 onsemi
Description: ONSEMI - FDB050AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 245W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote FDB050AN06A0 nach Preis ab 1.83 EUR bis 5.03 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDB050AN06A0 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 60V N-Ch PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 3847 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
FDB050AN06A0 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB050AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 343 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
|
|
FDB050AN06A0 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB050AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 343 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
| FDB050AN06A0 | Hersteller : FAIRCHILD |
07+ TO-263 |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||
| FDB050AN06A0 | Hersteller : FAIRCHILD |
TO-263 |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||
| FDB050AN06A0 | Hersteller : fairchild |
to-263/d2-pak |
auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||
 |
FDB050AN06A0 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
|
|
FDB050AN06A0 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |