Produkte > ONSEMI > FDB082N15A
FDB082N15A

FDB082N15A onsemi

fdb082n15a-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 117A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+5.39 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FDB082N15A onsemi

Description: MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 117A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 294W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V.

Weitere Produktangebote FDB082N15A nach Preis ab 5.60 EUR bis 9.68 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDB082N15A FDB082N15A Hersteller : onsemi fdb082n15a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 117A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V
auf Bestellung 1432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+8.92 EUR
10+7.41 EUR
100+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB082N15A FDB082N15A Hersteller : onsemi / Fairchild fdb082n15a-d.pdf MOSFETs 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
auf Bestellung 609 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.68 EUR
10+7.87 EUR
100+6.16 EUR
250+6.14 EUR
500+6.04 EUR
800+5.86 EUR
2400+5.60 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB082N15A FDB082N15A Hersteller : ON Semiconductor fdb082n15a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB082N15A FDB082N15A Hersteller : ON Semiconductor fdb082n15a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB082N15A FDB082N15A Hersteller : ON Semiconductor fdb082n15a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB082N15A FDB082N15A Hersteller : ON Semiconductor fdb082n15a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB082N15A Hersteller : ONSEMI fdb082n15a-d.pdf FDB082N15A SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH