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FDB13AN06A0

FDB13AN06A0 ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details FDB13AN06A0 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V, Power Dissipation (Max): 115W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 ON Semiconductor fdb13an06a0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 21600 Stücke:
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FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 ON Semiconductor fdb13an06a0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 21600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.69 EUR
1600+1.64 EUR
2400+1.57 EUR
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FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 onsemi FDB13AN06A0-D.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
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FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 ON Semiconductor fdb13an06a0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
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FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 onsemi / Fairchild FDB13AN06A0-D.pdf MOSFETs N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 2951 Stücke:
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2+2.43 EUR
10+2.28 EUR
100+2.03 EUR
500+1.98 EUR
800+1.82 EUR
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FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 ONSEMI FDB13AN06A0.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; 115W; D2PAK
Gate charge: 29nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 62A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 115W
auf Bestellung 751 Stücke:
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35+2.45 EUR
40+2.17 EUR
43+2.01 EUR
100+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 onsemi FDB13AN06A0-D.pdf MOSFETs N-Channel PowerTrench
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10+3.81 EUR
100+2.64 EUR
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FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 onsemi FDB13AN06A0-D.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
auf Bestellung 7342 Stücke:
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FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 ON-Semiconductor TFDB13AN06A0_ON_0001.pdf Transistor N-MOSFET; 60V; 10V; 13,5mOhm; 62A; 115W; -55°C ~ 175°C; FDB13AN06A0 TFDB13AN06A0
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 ON Semiconductor fdb13an06a0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 21600 Stücke:
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FDB13AN06A0
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
auf Bestellung 6400 Stücke:
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800+1.9 EUR
1600+1.77 EUR
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Hersteller: onsemi / Fairchild
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; 115W; D2PAK
Gate charge: 29nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 62A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 115W
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35+2.45 EUR
40+2.17 EUR
43+2.01 EUR
100+1.87 EUR
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FDB13AN06A0
Hersteller: onsemi
MOSFETs N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 4864 Stücke:
Lieferzeit 325-329 Tag (e)
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1+5.87 EUR
10+3.81 EUR
100+2.64 EUR
500+2.2 EUR
800+2.03 EUR
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FDB13AN06A0
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
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Transistor N-MOSFET; 60V; 10V; 13,5mOhm; 62A; 115W; -55°C ~ 175°C; FDB13AN06A0 TFDB13AN06A0
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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