FDB14N30TM ON Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 80+ | 2.21 EUR |
| 81+ | 2.17 EUR |
| 100+ | 1.73 EUR |
| 250+ | 1.67 EUR |
| 500+ | 1.42 EUR |
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Technische Details FDB14N30TM ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDB14N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 14 A, 0.24 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 140, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 2, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote FDB14N30TM nach Preis ab 1.25 EUR bis 4.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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FDB14N30TM | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 804 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDB14N30TM | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB14N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 14 A, 0.24 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 140 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 6551 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDB14N30TM | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB14N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 14 A, 0.24 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 140 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 euEccn: NLR Verlustleistung: 140 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 6551 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDB14N30TM |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 73+ | 2.44 EUR |
| 80+ | 2.13 EUR |
| 81+ | 2.03 EUR |
| 100+ | 1.59 EUR |
| 250+ | 1.51 EUR |
| 500+ | 1.25 EUR |
| FDB14N30TM |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB14N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 14 A, 0.24 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 140
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDB14N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 14 A, 0.24 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 140
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 6551 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.44 EUR |
| 500+ | 1.96 EUR |
| FDB14N30TM |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB14N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 14 A, 0.24 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDB14N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 14 A, 0.24 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 6551 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 61+ | 4.09 EUR |
| 71+ | 3.3 EUR |
| 100+ | 2.44 EUR |
| 500+ | 1.96 EUR |