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FDB16AN08A0

FDB16AN08A0 onsemi

FDB16AN08A0-D.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V
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Technische Details FDB16AN08A0 onsemi

Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 135W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDB16AN08A0 FDB16AN08A0 onsemi / Fairchild FDB16AN08A0-D.pdf MOSFETs Discrete Auto N-Ch UltraFET Trench
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FDB16AN08A0 FDB16AN08A0 onsemi FDB16AN08A0-D.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
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FDB16AN08A0 ONSEMI FAIRS45899-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDB16AN08A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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