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FDB2532

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Produktcode: 61087
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Transistoren > MOSFET N-CH

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FDB2532 FDB2532 ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 44000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.23 EUR
1600+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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FDB2532 FDB2532 ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 44000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.23 EUR
1600+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532 FDB2532 onsemi FDP2532-D.PDF Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+3.01 EUR
1600+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532 FDB2532 ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+4.69 EUR
38+3.76 EUR
100+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532 FDB2532 ONSEMI FDX2532-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+5.35 EUR
23+3.23 EUR
25+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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FDB2532 FDB2532 ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+7.75 EUR
100+6.2 EUR
250+5.92 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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FDB2532 FDB2532 onsemi FDP2532-D.PDF Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
auf Bestellung 2143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.97 EUR
10+5.31 EUR
100+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDB2532 FDB2532 onsemi FDP2532-D.PDF MOSFETs 150V N-Channel QFET Trench
auf Bestellung 1448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.57 EUR
10+5.7 EUR
100+4.08 EUR
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FDB2532 FDB2532 ONSEMI 2304212.pdf Description: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.016 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 724 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDB2532 FDB2532 ONSEMI 2304212.pdf Description: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.016 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 724 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDB2532 fdp2532-d.pdf
FDB2532
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 44000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
800+2.23 EUR
1600+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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FDB2532
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 44000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
800+2.23 EUR
1600+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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FDB2532 FDP2532-D.PDF
FDB2532
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
800+3.01 EUR
1600+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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FDB2532
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
31+4.69 EUR
38+3.76 EUR
100+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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FDB2532
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
14+5.35 EUR
23+3.23 EUR
25+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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FDB2532 fdp2532-d.pdf
FDB2532
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
20+7.75 EUR
100+6.2 EUR
250+5.92 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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FDB2532 FDP2532-D.PDF
FDB2532
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
auf Bestellung 2143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3+7.97 EUR
10+5.31 EUR
100+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532 FDP2532-D.PDF
FDB2532
Hersteller: onsemi
MOSFETs 150V N-Channel QFET Trench
auf Bestellung 1448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+8.57 EUR
10+5.7 EUR
100+4.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532 2304212.pdf
FDB2532
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.016 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 724 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532 2304212.pdf
FDB2532
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.016 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 724 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH