Weitere Produktangebote FDB2532 nach Preis ab 2.03 EUR bis 8.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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FDB2532 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDB2532 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDB2532 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDB2532 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDB2532 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDB2532 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 231 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDB2532 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 325 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDB2532 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 325 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDB2532 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDB2532 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2143 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDB2532 | Hersteller : onsemi |
MOSFETs 150V N-Channel QFET Trench |
auf Bestellung 1516 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDB2532 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.016 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 310W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1563 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDB2532 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.016 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 310W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1563 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |