FDB2710 ONSEMI
Hersteller: ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 260W; D2PAK
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 101nC
On-state resistance: 36.3mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 260W
Kind of package: reel; tape
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| Anzahl | Preis |
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| 13+ | 5.56 EUR |
| 18+ | 4.02 EUR |
| 19+ | 3.79 EUR |
| 100+ | 3.68 EUR |
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Technische Details FDB2710 ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB2710 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 50 A, 0.0363 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 260W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0363ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FDB2710 nach Preis ab 3.68 EUR bis 9.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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FDB2710 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 260W; D2PAK Case: D2PAK Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 101nC On-state resistance: 36.3mΩ Gate-source voltage: ±30V Drain current: 50A Drain-source voltage: 250V Power dissipation: 260W Kind of package: reel; tape |
auf Bestellung 789 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDB2710 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 250V N-Channel PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 3203 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDB2710 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 260W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V |
auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDB2710 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB2710 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 50 A, 0.0363 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 260W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0363ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 887 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDB2710 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB2710 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 50 A, 0.0363 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 260W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0363ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDB2710 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDB2710 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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FDB2710 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDB2710 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 260W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V |
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