Suchergebnisse für "fdb3632." : 6

Art der Ansicht :
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDB3632 FDB3632 ON Semiconductor fdp3632-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB3632 FDB3632 ON Semiconductor fdp3632-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB3632 FDB3632 ON Semiconductor fdp3632-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 652 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.08 EUR
47+2.84 EUR
100+2.2 EUR
250+2.09 EUR
500+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB3632 FDB3632 ON Semiconductor fdp3632-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 662 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.08 EUR
47+2.84 EUR
100+2.2 EUR
250+2.09 EUR
500+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB3632 FDB3632 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDE33690743E28&compId=FDB3632.pdf?ci_sign=b3680f3107d38a415f18e5077e2c8328a1368657 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB3632 FDB3632 ON Semiconductor fdp3632-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB3632 fdp3632-d.pdf
FDB3632
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB3632 fdp3632-d.pdf
FDB3632
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB3632 fdp3632-d.pdf
FDB3632
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 652 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
35+4.08 EUR
47+2.84 EUR
100+2.2 EUR
250+2.09 EUR
500+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB3632 fdp3632-d.pdf
FDB3632
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 662 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
35+4.08 EUR
47+2.84 EUR
100+2.2 EUR
250+2.09 EUR
500+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB3632 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDE33690743E28&compId=FDB3632.pdf?ci_sign=b3680f3107d38a415f18e5077e2c8328a1368657
FDB3632
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB3632 fdp3632-d.pdf
FDB3632
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH