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FDB3652

FDB3652 VBSemi

fdb3652-datasheet.pdf
Produktcode: 155755
Hersteller: VBSemi
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 61 A
Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2880/41
JHGF: SMD
auf Bestellung 18 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDB3652 FDB3652 Hersteller : onsemi fdp3652-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
auf Bestellung 543 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.63 EUR
10+2.99 EUR
100+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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FDB3652 FDB3652 Hersteller : ONSEMI 2304715.pdf Description: ONSEMI - FDB3652 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDB3652 FDB3652 Hersteller : ON Semiconductor 3672715905115303fdp3652-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDB3652 Hersteller : ONSEMI fdp3652-d.pdf FDB3652 SMD N channel transistors
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.42 EUR
41+1.74 EUR
44+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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FDB3652 FDB3652 Hersteller : ON Semiconductor 3672715905115303fdp3652-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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FDB3652 FDB3652 Hersteller : ON Semiconductor 3672715905115303fdp3652-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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FDB3652 FDB3652 Hersteller : ON Semiconductor 3672715905115303fdp3652-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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FDB3652 FDB3652 Hersteller : ON Semiconductor 3672715905115303fdp3652-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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FDB3652 FDB3652 Hersteller : onsemi fdp3652-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
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FDB3652 FDB3652 Hersteller : onsemi / Fairchild FDP3652_D-2312532.pdf MOSFET N-Channel PowerTrench
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T157-52 Kern
Produktcode: 23608
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T.pdf
T157-52 Kern
Hersteller: China
Transformatoren, Netzfilter, Drosseln > Kerne, Rahmen, Klammern
Gruppe: Kern
Serie: T
Typ: Ring
Größe, Typ: 39,9/24,1/14,5
Beschreibung: Kern T39,9/24,1/14,5 Iron Powder AL=99nH
Material: zerstäubt Eisen
Durchlässigkeit, µi: -
auf Bestellung 12 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.92 EUR
10+1.54 EUR
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22uF 50V EZV SMD sizeC (EZV220M50RC)
Produktcode: 23411
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EZV_070829.pdf
22uF 50V EZV SMD sizeC (EZV220M50RC)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische SMD
Kapazität: 22uF
Nennspannung: 50V
Reihe: EZV-SMD niedriger Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: SMD size C
Макс.пульс.струм: 165mA
auf Bestellung 1945 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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10+0.1 EUR
100+0.066 EUR
1000+0.06 EUR
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UC3843BN
Produktcode: 4077
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UC2842B,3B,4B,5B,3842B,3B,4B,5B.pdf
UC3843BN
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: PWM Controllers Von=8.4V Vof=7.6V Verhältnis 100% 0+70С 1A 8,2-30V 500kHz
Spannung, eing., V: 30 V
I-ausg., A: 1 А
Fosc, kHz: 700 kHz
Temperaturbereich: 0…+70°C
verfügbar: 279 Stück
19 Stück - stock Köln
260 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.29 EUR
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2,2nF 1kV Z5V Z(-20/+80%) D<=5,8mm (HF3A222Z-L516B-Hitano)
Produktcode: 2382
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ClassII_070726.pdf
2,2nF 1kV Z5V Z(-20/+80%) D<=5,8mm (HF3A222Z-L516B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische Hochvolt
Kapazität: 2,2nF
Nennspannung: 1000V
TKE: Z5V
Präzision: -20/+80% Z
Abmessungen: D<=5,8mm
Part Nummer: HF3A222Z-L516B
№ 8: 8532 24 00 00
verfügbar: 2891 Stück
250 Stück - stock Köln
2641 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
10+0.044 EUR
100+0.023 EUR
1000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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220uF 50V EXR 10x16mm (EXR221M50B-Hitano)
Produktcode: 2008
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EXR_080421.pdf
220uF 50V EXR 10x16mm (EXR221M50B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 220uF
Nennspannung: 50V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x16mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 1032 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 3000 Stück:
3000 Stück - erwartet 26.10.2025
Anzahl Preis
1+0.2 EUR
10+0.12 EUR
100+0.092 EUR
1000+0.08 EUR
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