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FDB3652

FDB3652 VBSemi

fdb3652-datasheet.pdf
Produktcode: 155755
Hersteller: VBSemi
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 61 A
Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2880/41
JHGF: SMD
auf Bestellung 18 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDB3652 FDB3652 Hersteller : ON Semiconductor fdp3652-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.37 EUR
1600+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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FDB3652 FDB3652 Hersteller : ON Semiconductor fdp3652-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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800+1.37 EUR
1600+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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FDB3652 FDB3652 Hersteller : onsemi fdp3652-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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FDB3652 FDB3652 Hersteller : onsemi fdp3652-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
auf Bestellung 1013 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.42 EUR
10+2.87 EUR
100+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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FDB3652 FDB3652 Hersteller : ONSEMI 2304715.pdf Description: ONSEMI - FDB3652 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDB3652 FDB3652 Hersteller : ONSEMI 2304715.pdf Description: ONSEMI - FDB3652 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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FDB3652 FDB3652 Hersteller : ON Semiconductor 3672715905115303fdp3652-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDB3652 Hersteller : ONSEMI fdp3652-d.pdf FDB3652 SMD N channel transistors
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.39 EUR
41+1.76 EUR
44+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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FDB3652 FDB3652 Hersteller : ON Semiconductor 3672715905115303fdp3652-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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FDB3652 FDB3652 Hersteller : ON Semiconductor fdp3652-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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FDB3652 FDB3652 Hersteller : ON Semiconductor fdp3652-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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FDB3652 FDB3652 Hersteller : ON Semiconductor fdp3652-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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FDB3652 FDB3652 Hersteller : onsemi / Fairchild 25F73BAA4419937182CE134120F34C856D5F480D4135085BCBAC7180912EA62F.pdf MOSFETs N-Channel PowerTrench
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