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FDBL0200N100

FDBL0200N100 onsemi

fdbl0200n100-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9760 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details FDBL0200N100 onsemi

Description: ONSEMI - FDBL0200N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 429W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 429W, Bauform - Transistor: H-PSOF, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote FDBL0200N100 nach Preis ab 6.3 EUR bis 15.87 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDBL0200N100 FDBL0200N100 onsemi / Fairchild FDBL0200N100-D.PDF MOSFETs 100 V N-Channel PowerTrench MOSFET
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FDBL0200N100 FDBL0200N100 onsemi fdbl0200n100-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9760 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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FDBL0200N100 FDBL0200N100 ON Semiconductor fdbl0200n100-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R
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FDBL0200N100 FDBL0200N100 ON Semiconductor fdbl0200n100-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R
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FDBL0200N100 FDBL0200N100 ONSEMI 2859343.pdf Description: ONSEMI - FDBL0200N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 461 Stücke:
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18+13.09 EUR
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100+9.47 EUR
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FDBL0200N100 FDBL0200N100 ONSEMI 2859343.pdf Description: ONSEMI - FDBL0200N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 429W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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Hersteller: onsemi / Fairchild
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Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9760 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
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Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
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Package / Case: 8-PowerSFN
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL0200N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL0200N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 429W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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