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FDBL0240N100

FDBL0240N100 onsemi


fdbl0240n100-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 210A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8755 pF @ 50 V
auf Bestellung 12000 Stücke:

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Technische Details FDBL0240N100 onsemi

Description: ONSEMI - FDBL0240N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 210 A, 0.0022 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 210A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: H-PSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDBL0240N100 FDBL0240N100 Hersteller : onsemi fdbl0240n100-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 210A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8755 pF @ 50 V
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FDBL0240N100 FDBL0240N100 Hersteller : onsemi / Fairchild fdbl0240n100-d.pdf MOSFETs N-Channel Power Trench MOSFET
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10+7.67 EUR
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FDBL0240N100 FDBL0240N100 Hersteller : ONSEMI 2907358.pdf Description: ONSEMI - FDBL0240N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 210 A, 0.0022 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDBL0240N100 FDBL0240N100 Hersteller : ONSEMI 2907358.pdf Description: ONSEMI - FDBL0240N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 210 A, 0.0022 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
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Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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FDBL0240N100 FDBL0240N100 Hersteller : ON Semiconductor 3664116895656244fdbl0240n100.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 210A 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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FDBL0240N100 Hersteller : ONSEMI fdbl0240n100-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 210A; Idm: 910A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 210A
Pulsed drain current: 910A
Power dissipation: 300W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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FDBL0240N100 Hersteller : ONSEMI fdbl0240n100-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 210A; Idm: 910A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 210A
Pulsed drain current: 910A
Power dissipation: 300W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79nC
Kind of channel: enhancement
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